Samsung просуває 10-нм класову 7-гу генерацію 1D DRAM, ширина пластин зменшується до 10–11 нм

2026-06-17 06:41:22

Дослідник Citrini Джукан повідомив, що 17 червня Samsung Electronics оголосила плани наростити виробництво 1D DRAM сьомого покоління класу 10 нм. Впровадження обладнання заплановано на першу половину наступного року, а стартовий випуск — вже наприкінці року. Новий процес зменшить ширину ліній пластини з поточних 11–12 нм до 10–11 нм, підвищивши продуктивність і енергоефективність. Ключове обладнання ще розробляється: Samsung і партнери оптимізують вихід придатної продукції та продуктивність перед уточненням детального графіка до кінця року.

Переглянути джерело

Застереження: інформація на цій сторінці може походити зі сторонніх джерел і надається виключно для ознайомлення. Вона не відображає позицію чи думку Gate і не є фінансовою, інвестиційною чи юридичною консультацією. Торгівля віртуальними активами пов’язана з високим ризиком. Будь ласка, не покладайтеся лише на інформацію з цієї сторінки під час прийняття рішень. Детальніше дивіться у Застереженні.

Пов’язані новини

3год тому

Samsung веде переговори щодо виробництва процесорів AMD, очікується старт виробництва у 2028 році

5год тому

LG Innotek розробляє підкладки FC-BGA з діаметром 100 мм+ для AI-серверів, очікує результати до кінця року

7год тому

iPhone 18 від Apple отримає оновлення до 12 ГБ оперативної пам’яті, що на 50% більше, ніж у iPhone 17

7год тому

Mizuho: Розгортання CPO та 800V йде за планом на 2028–2029 роки, Spectrum-X нарощуватиме потужності у 2027 році

19год тому

Поставки кремнієвих пластин у Китаї розширюються до 54–55 ГВт у червні, обсяг запасів батарей скорочується тиждень до тижня

Поглиблений аналіз