Năm 2026, ngành công nghiệp bán dẫn toàn cầu đang trải qua một cuộc chuyển đổi cấu trúc sâu rộng dưới tác động của trí tuệ nhân tạo sinh tạo (generative AI), trong đó chip bộ nhớ băng thông cao (HBM) giữ vai trò trung tâm. Khi các nền tảng Blackwell và Rubin của NVIDIA liên tục được nâng cấp và các nhà cung cấp dịch vụ đám mây (CSP) đẩy mạnh phát triển chip AI chuyên dụng nội bộ, thị trường HBM đang dần hội tụ thành một thế chân vạc do SK Hynix, Samsung Electronics và Micron Technology thống lĩnh. Khác với quy luật cung cầu tuần hoàn truyền thống của DRAM, làn sóng mở rộng HBM lần này nổi bật bởi tốc độ nâng cấp thế hệ nhanh, tình trạng thiếu hụt công suất sản xuất nghiêm trọng và quyền kiểm soát giá cả ngày càng được củng cố. Trong bối cảnh giằng co này, Micron—từ lâu là "người về thứ ba" trên thị trường—đang đối mặt với thách thức then chốt: chuyển mình từ vai trò theo sau thành đối thủ cạnh tranh đáng gờm, một quá trình rất đáng để phân tích chuyên sâu.
Hình thành cấu trúc ba trụ cột của HBM: Từ cạnh tranh độc quyền đến phân tầng thứ bậc
Theo báo cáo mới nhất về ngành DRAM của TrendForce công bố tháng 6 năm 2026, Samsung dẫn đầu quý I với 38,5% thị phần DRAM toàn cầu, đạt doanh thu DRAM 37,32 tỷ USD—tăng 93,4% so với quý trước. Doanh thu DRAM máy chủ của Samsung chiếm tỷ trọng cao nhất ngành, đồng thời giá bán trung bình (ASP) tăng nhanh hơn các đối thủ. SK Hynix xếp thứ hai với 28,8% thị phần DRAM và doanh thu quý đạt 27,98 tỷ USD, tăng 62,5%.
SK Hynix là nhà sản xuất có tỷ trọng xuất xưởng HBM (tính theo bit) cao nhất trong ba ông lớn. Tuy nhiên, giá hợp đồng HBM giảm mạnh trong năm 2026 đã kìm hãm đà tăng giá chung của sản phẩm. Micron giữ vị trí thứ ba với doanh thu DRAM đạt 21,75 tỷ USD—tăng 81,6% so với quý trước—và duy trì thị phần ở mức 22,4%.
Xét riêng phân khúc HBM, Counterpoint Research ước tính SK Hynix sẽ chiếm khoảng 54% thị phần HBM4 trong năm 2026, Samsung đạt 28% và Micron khoảng 18%. TrendForce cho biết SK Hynix, nhờ hợp tác chặt chẽ với NVIDIA, duy trì lợi thế lớn về phân bổ nguồn cung HBM, dự kiến nắm 50% thị phần HBM toàn cầu trong năm 2026. Chứng nhận HBM4 của Samsung đang tiến triển nhanh, dự kiến sản xuất hàng loạt sau khi hoàn tất vào quý II, hướng tới mục tiêu 28% thị phần HBM năm 2026. Micron được dự báo giữ khoảng 22%.
Những số liệu này cho thấy thị trường HBM đã hình thành rõ nét thế chân vạc phân tầng. SK Hynix tận dụng lợi thế tiên phong để dẫn đầu. Samsung đang bám đuổi sát sao nhờ mở rộng mạnh công suất DRAM thế hệ 1c và năng lực tự chủ toàn diện. Micron dù thị phần nhỏ hơn nhưng không thể thay thế, đang từng bước mở rộng hiện diện, tạo nên cấu trúc "ba trụ cột" ổn định.
Lợi thế dẫn dắt của Samsung và SK Hynix: Công nghệ thế hệ mới và mở rộng công suất
Chiến lược trọng tâm của Samsung năm 2026 là đẩy mạnh quy trình DRAM 1c và tăng tốc sản xuất hàng loạt HBM4. Đến cuối năm 2026, Samsung đặt mục tiêu nâng công suất DRAM 1c lên khoảng 150.000 tấm wafer/tháng, chủ yếu phục vụ sản xuất HBM4. Ngoài ra, Samsung sẽ xây dựng dây chuyền DRAM tiên tiến quy mô lớn tại nhà máy Pyeongtaek P4, hướng tới sản lượng khoảng 120.000 tấm wafer DRAM/tháng—tương đương gần 1/5 tổng công suất DRAM hiện tại là 660.000 tấm/tháng. Điều này cho thấy công suất liên quan đến HBM4 sẽ chiếm khoảng 1/4 tổng sản lượng DRAM của Samsung. Về sản phẩm, HBM3E của Samsung đã được NVIDIA chứng nhận, HBM4 cũng bắt đầu sản xuất hàng loạt sau khi được chứng nhận vào tháng 2 năm 2026, hiện đã giao hàng. Samsung còn lên kế hoạch tăng gấp ba tổng sản lượng HBM vào năm 2026 so với 2025, trong đó hơn một nửa dành cho HBM4.
SK Hynix cũng đang đẩy mạnh kế hoạch sản xuất hàng loạt HBM4 và HBM4E. Sản phẩm HBM4 xếp chồng 16 lớp của hãng có dung lượng 48GB, băng thông vượt 2TB/s, ứng dụng công nghệ đóng gói tiên tiến MR-MUF và chip logic nền do TSMC sản xuất. SK Hynix dự kiến tăng tốc sản xuất HBM4 16-Hi, HBM4E (8/12/16-Hi) và các phiên bản HBM4E tùy chỉnh từ năm 2026 đến 2028. Tập đoàn SK cũng công bố kế hoạch tăng gấp đôi công suất wafer trong 5 năm tới, nhấn mạnh rằng "tình trạng thiếu hụt chip bộ nhớ phục vụ AI sẽ kéo dài đến năm 2030".
Về quản lý nhiệt và đóng gói tiên tiến, Samsung đã trình diễn nguyên mẫu HBM5 tại Computex 2026, tích hợp tản nhiệt bằng đồng HPB ngay trong chip, dự kiến sản xuất hàng loạt vào khoảng năm 2028. Trong khi đó, SK Hynix ra mắt công nghệ làm mát iHBM, giảm điện trở nhiệt hơn 30%, dự kiến sản xuất hàng loạt trong giai đoạn 2029–2030.
Lộ trình bứt phá của Micron: Từ kẻ yếu thế thành đối trọng
Đối với Micron, trọng tâm thị trường không còn là thị phần ngắn hạn mà là quá trình chuyển mình từ vị trí "thứ ba" thành đối thủ không thể thiếu.
Về công suất, toàn bộ sản lượng HBM của Micron trong năm 2026 đã được đặt mua hết. Công ty dự kiến ưu tiên DRAM 1-gamma và HBM4 cho sản xuất hàng loạt. Tại Hội nghị Nhà đầu tư JPMorgan, ban lãnh đạo xác nhận tiến độ tăng sản lượng HBM4 đang diễn ra nhanh gấp đôi so với HBM3E 12-High trước đó, cho thấy hiệu quả mở rộng công suất đã được cải thiện rõ rệt. Ngoài ra, Micron lên kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4E tiêu chuẩn vào năm 2027, kết hợp DRAM 1-gamma với chip logic nền tiên tiến do TSMC sản xuất, nhắm tới thế hệ gia tốc AI tiếp theo.
Về công nghệ, HBM4 của Micron sử dụng quy trình 1-beta (1β) và chip nền CMOS độc quyền, hiện đã giao hàng số lượng lớn. Sản phẩm HBM4 36GB xếp chồng 12 lớp, thiết kế riêng cho nền tảng AI Vera Rubin của NVIDIA, đã bắt đầu giao hàng đại trà tại hội nghị GTC 2026. Dự báo đồng thuận cho thấy giá bán trung bình HBM của Micron sẽ tăng khoảng 22% trong năm 2026—mức tăng cao nhất trong ba nhà sản xuất lớn. Đà tăng ASP mạnh này phản ánh thị trường đánh giá cao chiến lược sản phẩm khác biệt của Micron.
Micron cũng điều chỉnh chiến lược—ngừng đầu tư kỹ thuật vào sản phẩm thương hiệu Crucial cho người tiêu dùng cuối năm 2025, chuyển nguồn lực sang giải pháp bộ nhớ AI doanh nghiệp biên lợi nhuận cao, lấy HBM làm động lực tăng trưởng chính. Động thái này đánh dấu sự chuyển đổi căn bản trong mô hình kinh doanh của Micron, từ DRAM tiêu dùng đại trà sang tập trung vào bộ nhớ máy chủ AI dẫn dắt bởi HBM.
Hạn chế phía cung và động lực quyền kiểm soát giá
Điểm đặc biệt của ngành HBM là quyền kiểm soát giá không chỉ phụ thuộc vào tăng trưởng nhu cầu mà còn do hạn chế cấu trúc phía cung.
Nghiên cứu của TrendForce cho thấy, tỷ lệ wafer HBM trên tổng wafer DRAM của ba nhà sản xuất lớn sẽ tăng từ khoảng 18% cuối năm 2025 lên 22% cuối năm 2026, và tiếp tục đạt 30% vào năm 2027. Việc sản xuất cùng một lượng bit HBM tiêu tốn công suất wafer gấp ba lần so với DDR5 tiêu chuẩn, nghĩa là dù các nhà sản xuất tăng tốc nhập wafer HBM, khả năng mở rộng nguồn cung vẫn rất hạn chế.
Trong khi đó, ba nhà cung cấp lớn đang tận dụng vị thế độc quyền nhóm để kiểm soát giá HBM trong biên độ nhất định. Quý I năm 2026, giá trị HBM tính trên mỗi wafer đã bị DDR5 RDIMM 64GB vượt qua, biên lợi nhuận HBM lần đầu tiên thấp hơn bộ nhớ máy chủ DDR5 cao cấp. Ba ông lớn hiện đang đàm phán giá hợp đồng HBM4 dài hạn cho năm 2027. TrendForce nhận định, với nguồn cung DRAM eo hẹp, độ phức tạp sản xuất cao cho cả HBM cũ lẫn mới và chi phí đơn vị tăng, ba nhà cung cấp sẽ tăng mạnh giá HBM năm 2027, củng cố quyền dẫn dắt giá trong đàm phán hàng năm.
Ở phía cầu, NVIDIA chiếm khoảng 60% tổng nhu cầu HBM trong năm 2026, nhưng dự kiến giảm còn 48% năm 2027 khi Google, AWS, Microsoft và các CSP khác mở rộng phát triển chip AI nội bộ. Nhu cầu tăng đối với HBM tùy chỉnh mở ra cơ hội định giá sản phẩm khác biệt cho nhà cung cấp. Cơ cấu khách hàng lớn đang được tái phân bổ, nhưng bất kể ai là người mua, sự phụ thuộc vào ba nhà cung cấp lớn về công suất vẫn không thay đổi. Quyền kiểm soát giá đang chuyển dịch dần từ phía cầu sang phía cung.
Rủi ro tiềm ẩn: Động lực tăng trưởng chậm lại và chậm xác nhận từ khách hàng
Dù triển vọng dài hạn tích cực, thị trường HBM hiện tại vẫn đối mặt nhiều bất định. Thứ nhất, báo cáo HBM quý I năm 2026 của TrendForce chỉ ra rằng dù thị trường HBM tiếp tục tăng trưởng, việc nâng cấp chip bị trì hoãn và tồn kho tăng có thể khiến tăng trưởng tổng thể chậm lại, cung cầu dần cân bằng ở mức cao. Thứ hai, tỷ lệ thành phẩm HBM4 DRAM 1c của Samsung hiện chỉ đạt khoảng 50%. Việc có thể nâng cao tỷ lệ thành phẩm trong nửa đầu năm để mở rộng sản lượng thực tế hay không vẫn là dấu hỏi. Với Micron, dù công suất đã bán hết, DRAM 1-gamma sử dụng công nghệ in thạch bản cực tím (EUV) cũng cần thời gian để nâng tỷ lệ thành phẩm, việc mở rộng sản xuất ổn định sẽ mất thời gian.
Bên cạnh đó, nếu triển khai HBM4 hiệu năng cao quy mô lớn bị chậm do thiết kế hoặc lịch trình sản xuất chip của khách hàng, ba nhà sản xuất lớn có thể phải điều chỉnh kỳ vọng doanh thu HBM trong ngắn hạn. Cuối cùng, quyền kiểm soát giá là một trò chơi động: nếu chi tiêu vốn cho hạ tầng AI tăng trưởng chậm lại trong năm 2027, lợi thế giá cao của HBM có thể bị thu hẹp trong một số giai đoạn.
Kết luận
Tổng thể, thị trường HBM toàn cầu năm 2026 vẫn duy trì cấu trúc "ba trụ cột" do SK Hynix, Samsung Electronics và Micron Technology xây dựng. SK Hynix, với quan hệ đối tác sâu rộng cùng NVIDIA và liên tục nâng cấp công nghệ đóng gói như MR-MUF, giữ vững vị thế dẫn đầu HBM4. Samsung tận dụng kinh nghiệm lâu năm và công suất DRAM lớn, cùng chuỗi cung ứng khép kín từ sản xuất DRAM, chip logic đến đóng gói 3D, đang trở lại mạnh mẽ qua các thế hệ sản phẩm mới. Micron đang chuyển mình từ vị trí "người về thứ ba" truyền thống trong chu kỳ DRAM thành nhà cung cấp thứ hai then chốt ở lĩnh vực bộ nhớ AI, nhờ sản phẩm HBM khác biệt, năng lực mở rộng HBM4 hiệu quả và danh mục bộ nhớ AI toàn diện.
Dù kỳ vọng giá HBM vẫn cao và quyền kiểm soát giá ngày càng nghiêng về phía cung, các rào cản tăng trưởng công suất, rủi ro nâng tỷ lệ thành phẩm, chậm nâng cấp chip và xu hướng tăng trưởng HBM chậm lại trong năm 2026 vẫn là những yếu tố cần theo dõi sát. Đối với các bên tham gia thị trường, việc thấu hiểu tương quan giữa chuyển dịch công nghệ thế hệ mới và sự khan hiếm công suất—vượt lên trên các biến động cung cầu ngắn hạn—có thể là cách tiếp cận vững chắc nhất để nắm bắt logic cạnh tranh trung-dài hạn trong cuộc chiến độc quyền nhóm HBM.
