長鑫存儲（CXMT）與長江存儲（YMTC）擬合計砸下 630 億人民幣資本支出採購產線擴產；若計劃如期完成，2026 年底長鑫存儲 DRAM 月產能將逼近 35 萬片，與美光（Micron）同期預估的 37.5 萬片僅差不到一成。
長鑫存儲的 DUV 多重曝光路線
根據報道，長鑫存儲在無法取得 EUV（極紫外線）曝光機的情況下，採用的解法是：改用舊型 DUV（深紫外線）設備，疊加多重曝光技術——即同一片晶圓重複曝光多次，用增加製程步驟換取原本需要 EUV 才能達到的電路精細度。代價是更高的良率壓力和單片生產成本；但換來的是能出貨的 DDR5（8000 MT/s）和 LPDDR5X 記憶體模組，直接切進 AI 伺服器需求最缺貨的市場。
此外，長鑫存儲約 12 個月建成無塵室的效率，使其在全球設備交期延長的環境中形成時間差優勢——長鑫存儲跑機臺良率時，對手可能仍在等設備交期。
中國半導體設備本土化與技術分散
根據報道，此次擴產對供應鏈格局的影響包括：中國半導體設備本土採購率目前約 23.2%（超過 70% 仍靠進口）；但長鑫存儲 2026 年的採購預估將為本土供應商帶來近 100 億人民幣新業務，形成「市場養供應商、供應商反過來墊高良率」的正循環，進口依賴比例有望逐年壓低。
技術分散方面，中國政府正推動長鑫存儲將 DRAM 技術 IP（製程專利與工藝訣竅）轉移給福建晉華、昇維旭與長江存儲子公司新芯，目的是稀釋美國制裁的單點打擊效果，並為未來叩關歐盟和美國市場預作準備。
常見問題
長鑫存儲如何在沒有 EUV 設備的情況下生產先進 DDR5？
根據報道，長鑫存儲採用 DUV（深紫外線）設備加上多重曝光技術，即對同一片晶圓重複曝光多次，以增加製程步驟換取更精細的電路；代價是更高的良率壓力和單片成本，但使長鑫存儲得以生產 DDR5（8000 MT/s）和 LPDDR5X 記憶體模組，直接供應 AI 伺服器市場。
長鑫存儲 2026 年底的 DRAM 月產能與美光相比如何？
根據分析師指出，若長鑫存儲擴產計劃如期完成，2026 年底月產能將逼近 35 萬片；美光同期預估月產能約 37.5 萬片，差距不到一成（約 6.7%）。長江存儲 NAND 方面，滿載後月產能預估突破 17 萬片。具體數字以各公司官方財報和產業研究機構最新報告為準。
中國記憶體擴產對全球半導體設備市場有何影響？
根據 SEMI（國際半導體產業協會）的預測，全球半導體設備市場將從 2024 年的 1,166 億美元增長至 2027 年的 1,556 億美元，整體市場規模在擴大；中國廠商的擴產計劃也在這個增長中扮演重要角色，但全球三大記憶體廠（三星、SK 海力士、美光）同步加碼資本支出，競爭態勢持續加劇。
