根据7月3日的市场报告,铠侠已开始向人工智能数据中心运营商交付其下一代3D NAND闪存芯片样品。这家总部位于东京的芯片制造商的最新高密度存储解决方案旨在满足AI数据中心对更高存储密度、更快数据传输速度和更高能效日益增长的需求。
新芯片采用332层堆叠结构,可在每个硅晶圆上存储更多数据。铠侠在一份声明中表示,最新产品将用于数据中心固态硬盘,并将在日本北部岩手县北上市新建的工厂生产。新工厂旨在提高产能,以满足AI服务提供商对数据存储需求的快速增长。
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