Morgan Stanley respalda DRAM sobre NAND, pronostica que la demanda de NAND alcanzará los 400EB en 2026

Según el informe del 2 de julio de Morgan Stanley, la tesis de inversión para los chips de memoria está pasando de ganancias generalizadas a una diferenciación estructural. El banco recomienda priorizar DRAM sobre NAND Flash y favorecer a los fabricantes de chips sobre los fabricantes de módulos.

El informe predice que la demanda de NAND impulsada por IA aumentará de 205 EB en 2025 a 400 EB en 2026 y 609 EB en 2027, lo que representa un crecimiento anual del 60%. Esto provocará una escasez de oferta del 15% en 2026 y del 9% en 2027. DRAM muestra cuatro ventajas sobre NAND: mecanismos maduros de acuerdos a largo plazo, una visibilidad de demanda más sólida por parte de la IA y los servidores, capacidad de fabricación avanzada limitada que restringe la expansión de la oferta, y la posible futura producción de HBM4E que ajustará aún más la oferta.

Aviso legal: La información en esta página puede provenir de fuentes de terceros y es solo para referencia. No representa las opiniones ni puntos de vista de Gate y no constituye asesoramiento financiero, de inversión ni legal. El comercio de activos virtuales implica un alto riesgo. No te bases únicamente en la información presentada en esta página para tomar decisiones. Para más detalles, consulta el Aviso legal.
Comentar
0/400
Sin comentarios