Kioxia bắt đầu vận chuyển 3D NAND 332 lớp cho các trung tâm dữ liệu AI, mật độ bit cao hơn 59%

Theo The Japan Times, Kioxia đã bắt đầu gửi mẫu chip flash 3D NAND thế hệ thứ 10 với 332 lớp cho các nhà vận hành trung tâm dữ liệu AI. Chip mới cung cấp mật độ bit cao hơn 59% so với sản phẩm thế hệ thứ tám, đạt tốc độ dữ liệu 4,8 Gb/s, nhanh hơn khoảng 33% so với thế hệ trước, đồng thời cắt giảm mức tiêu thụ điện năng 10% cho đầu vào và 34% cho đầu ra. Kioxia đang sản xuất các chip này tại cơ sở Fab2 ở Kitakami, tỉnh Iwate, bắt đầu hoạt động từ tháng 9 năm 2025. Công ty dự kiến sản lượng sản xuất đáng kể trong nửa đầu năm 2026.
Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể đến từ các nguồn bên thứ ba và chỉ mang tính chất tham khảo. Thông tin này không phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của Gate và không cấu thành bất kỳ lời khuyên tài chính, đầu tư hoặc pháp lý nào. Giao dịch tài sản ảo tiềm ẩn rủi ro cao. Vui lòng không chỉ dựa vào thông tin trên trang này khi đưa ra quyết định. Để biết thêm chi tiết, vui lòng xem Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm.
Bình luận
0/400
Không có bình luận