Theo SK hynix, công ty đã cung cấp các mẫu bộ nhớ mới HBM4E dạng 12 lớp cho khách hàng. Sản phẩm 12 lớp này cung cấp dung lượng 48GB và tốc độ lên tới 16 gigabit mỗi giây (Gbps) cho mỗi chân cắm, với hiệu suất sử dụng năng lượng tốt hơn Hơn 20% so với HBM4. SK hynix đã giới thiệu quy trình điền khuôn underfill bằng tái chảy hàng loạt (mass reflow molded), giúp tăng độ ổn định kết cấu và giảm điện trở nhiệt khoảng 17% khi công ty hướng tới sản xuất hàng loạt.
SK hynix nắm giữ 62% thị phần các lô hàng HBM toàn cầu trong quý 2 năm 2025. Nvidia đã chứng nhận ba nhà cung cấp bộ nhớ cho HBM4 cho nền tảng Vera Rubin của mình, với dự kiến các lô hàng hệ thống ban đầu sẽ được triển khai vào cuối năm 2026.