TSMC bám vào các công cụ EUV hiện có, trì hoãn việc áp dụng High-NA; quy trình A13 nhắm mục tiêu cho năm 2029

Tin tức từ Gate, ngày 23 tháng 4 — TSMC đã giới thiệu các công nghệ sản xuất và đóng gói mới, được thiết kế để giúp chip nhỏ hơn và nhanh hơn, đồng thời thông báo rằng hãng sẽ tiếp tục sử dụng các máy EUV hiện có của ASML thay vì áp dụng các công cụ quang khắc High-NA mới hơn.

Quy trình A13 của công ty nhắm tới việc đi vào sản xuất vào năm 2029, trong khi N2U là một lựa chọn chi phí thấp hơn cho chip điện thoại thông minh, laptop và AI. Đến năm 2028, TSMC đặt mục tiêu đóng gói 10 chip lớn với 20 cụm nhớ, so với thiết kế Vera Rubin của Nvidia, vốn có hai chip xử lý và tám cụm nhớ.

Quyết định này trái ngược với các đối thủ đang tiến nhanh hơn với công nghệ High-NA. Intel đã lắp đặt hệ thống High-NA Twinscan EXE:5200B của ASML và dự kiến sản xuất thử nghiệm (risk production) vào năm 2027 với sản lượng hàng loạt vào năm 2028. Samsung nhận máy quét High-NA đầu tiên vào cuối năm 2025 và máy thứ hai trong nửa đầu năm 2026, trong khi SK Hynix lắp đặt một công cụ High-NA EUV vào tháng 9 năm 2025. Lựa chọn của TSMC phản ánh các cân nhắc về chi phí và rủi ro hơn là việc loại bỏ hoàn toàn công nghệ High-NA EUV.

Các nhà phân tích cho biết những thách thức, bao gồm quản lý nhiệt, giãn nở vật liệu và hiện tượng nứt vẫn chưa được giải quyết. ASML duy trì gần như độc quyền trong các hệ thống EUV, với ZEISS SMT, Lam Research và Applied Materials được cho là sẽ hưởng lợi từ làn sóng chi tiêu. Nhà sản xuất chip Trung Quốc SMIC vẫn không thể mua các công cụ EUV do các hạn chế xuất khẩu.