Samsung Electronics erhöht DRAM-Preise bereits das dritte Quartal in Folge, Q3-Ziel: 20%

Samsung Electronics führt Preisverhandlungen für generische DRAM im dritten Quartal 2026. Laut Brancheninformationen, die von der koreanischen Medienseite ZDNET Korea zitiert werden, ist das Ziel, den Durchschnittspreis (ASP) von generischem DRAM im Vergleich zum Vorquartal um bis zu 20 % zu erhöhen; bei LPDDR gibt es aufgrund „schwerwiegender Engpässe“ im Server- und Mobilbereich eine angestrebte Steigerung von über 20 %.

Samsungs Preisverhandlungsziele für Q3: Generischer ASP bis zu 20 % Steigerung, LPDDR über 20 %

Laut Brancheninformationen, die von ZDNET Korea zitiert werden, hat Samsung in den Q3-Preisverhandlungen eine harte Haltung gezeigt. Der Ziel-Durchschnittspreis (ASP) für generische DRAM soll saisonal um bis zu 20 % steigen; bei LPDDR (Low Power Double Data Rate Memory) wird aufgrund gleichzeitiger „schwerwiegender Engpässe“ im Server- und Mobilbereich ein Anstieg von über 20 % angestrebt. Zum Vergleich: Im Q1 stieg der DRAM ASP saisonal um etwa 90 %, im Q2 um etwa 50 bis 60 %.

Branchenexperten schätzen, dass Samsung bei generischem DRAM den weltweit höchsten Marktanteil hat, was ihm eine stärkere Dominanz bei Preisverhandlungen verleiht. Hinzu kommt, dass generisches DRAM einen höheren Anteil an Samsungs Gesamtproduktion ausmacht, was der Hauptgrund für den im Vergleich zu SK Hynix deutlicheren Preisanstieg ist.

Branchenkreise bemerken zudem, dass Endgerätehersteller möglicherweise eine Reduzierung der Bestellmengen oder einen Wechsel zu anderen Anbietern als Verhandlungshebel nutzen. Der endgültig vereinbarte Anstieg im Q3 bleibt abzuwarten.

UBS erhöht Speicherpreisschätzung: Q3/Q4 DRAM- und NAND-Prognosen

Laut dem neuesten Bericht der Schweizer Großbank UBS lauten die DRAM- und NAND-Preisprognosen wie folgt:

DRAM Q3-Preis: +32 % zum Vorquartal (deutlich über dem durchschnittlichen Marktkonsens)

DRAM Q4-Preis: +18 % zum Vorquartal

NAND Q3-Preis: +30 % zum Vorquartal

NAND Q4-Preis: +12 % zum Vorquartal

Diese Prognose der UBS liegt weit über dem durchschnittlichen Marktkonsens und spiegelt die hohe Optimismus der Wall Street hinsichtlich eines durch KI getriebenen Speicher-Superzyklus wider. Die obigen Angaben sind persönliche Prognosen der UBS-Analysten und stellen keine Anlageberatung dar; die tatsächlichen Preise richten sich nach den offiziellen Ankündigungen der Hersteller und Branchendaten.

Gründe für die stabile Preisgestaltung von SK Hynix: HBM-Langzeitverträge und bevorstehender US-Börsengang

Der Q3-Preistrend von SK Hynix ist relativ stabil, hauptsächlich weil ein höherer Anteil des KI-HBM-Geschäfts auf langfristigen Verträgen (LTA) basiert, die die Preise fixieren und kurzfristigen Marktschwankungen weniger ausgesetzt sind. SK Hynix steht kurz vor einem US-Börsengang (IPO) an der Nasdaq im Wert von 29 Milliarden US-Dollar, und der Markt erwartet, dass die Kapitalerweiterungsfähigkeit den Abstand zu Samsung im HBM-Bereich weiter vergrößern wird.

Im Gegensatz dazu hat Samsung einen höheren Anteil an generischem DRAM-Geschäft, das stärker von Spotpreisschwankungen betroffen ist, weshalb es in den Q3-Preisverhandlungen auch deutlich aktiver ist.

Häufig gestellte Fragen

Wie sind die neuesten Entwicklungen bei Samsungs Q3-DRAM-Preisverhandlungen und steht die endgültige Steigerung bereits fest?

Laut Brancheninformationen, die von ZDNET Korea zitiert werden, liegt Samsungs Ziel für die Preiserhöhung von generischem DRAM im Q3 bei maximal 20 %, bei LPDDR über 20 %; Branchenkreise weisen jedoch darauf hin, dass Endgerätehersteller möglicherweise eine Reduzierung der Bestellmengen oder einen Wechsel zu anderen Anbietern als Verhandlungshebel nutzen. Der endgültig vereinbarte Anstieg im Q3 steht noch nicht fest. Maßgeblich sind die offiziellen Finanzberichte der Hersteller.

Wie viel höher liegen die DRAM- und NAND-Preisprognosen von UBS im Vergleich zum Marktkonsens?

Laut dem Bericht prognostiziert UBS für DRAM im Q3 einen saisonalen Anstieg von 32 %, im Q4 von 18 %, für NAND im Q3 von 30 % und im Q4 von 12 %; der Bericht stellt fest, dass diese Prognose „deutlich über dem durchschnittlichen Marktkonsens“ liegt, gibt aber keine konkreten Zahlen zum Marktkonsens an. Die obigen Angaben sind persönliche Prognosen der UBS-Analysten; maßgeblich sind aktualisierte offizielle Marktforschungsberichte.

Warum schrumpft das Angebot an traditionellem DRAM bei den drei großen Speicherherstellern weiter?

Laut dem Bericht haben die drei großen Speicherhersteller (Samsung, SK Hynix, Micron) etwa 93 % ihrer Produktionskapazität auf die HBM-Produktion verlagert; jedes produzierte HBM-Bit benötigt etwa dreimal so viel Wafer-Kapazität wie DDR5, sodass das Angebot an traditionellem DRAM stark verdrängt wird. Neue Wafer-Kapazitäten werden frühestens ab 2027 verfügbar sein, sodass sich die Angebotsverknappung kurzfristig nicht schnell entspannen lässt.

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