Mit dem explosionsartigen Anstieg der KI-Nachfrage verfolgen die beiden weltweit führenden Wafer-Foundry-Könige TSMC (2330.TW) und Samsung Electronics (005930.KS) völlig unterschiedliche Strategien. TSMC beschleunigt die weitere Umsetzung des 1-nm-Fertigungsprozesses kontinuierlich und rechnet ab 2027 damit, nach und nach fortschrittlichere Knoten in die Massenproduktion zu bringen; Samsung hingegen wählt einen langsameren Kurs und bündelt die Ressourcen auf die Optimierung des 2-nm-Fertigungsprozesses sowie die Verbesserung der Ausbeute. Die Abweichung in den technischen Entwicklungslinien beider Unternehmen wird das zukünftige Angebotsmuster bei Hochleistungsrechner- und KI-Chips beeinflussen.
Entwicklungsfahrplan von TSMC geleakt: Ziel, 2029 in die „Angström“-Generation einzutreten
Wie das südkoreanische Medium Zdnet Korea berichtet, hat TSMC auf der kürzlich abgehaltenen Q1-Gesprächsrunde (Earnings Call) und beim North America Technology Forum offiziell den vollständigen Entwicklungsplan für die hauseigenen Sub-Next-Gen-Fertigungsprozesse offengelegt. Laut Planung wird TSMC ab 2027 den A16-Prozess in die Massenproduktion bringen und offiziell in eine neue Generation übergehen, die mit „Angström (Angstrom)“ als Einheit arbeitet. A16 entspricht 1,6 nm und steht als entscheidender Meilenstein dafür, dass die Halbleiterfertigung in die Ära unter 1 nm eintritt.
Danach plant TSMC, 2028 den A14 in die Massenproduktion zu bringen und 2029 gleichzeitig die beiden Knoten A13 und A12 weiter voranzutreiben. Dabei ist A13 der in diesem Monat aktuell neu offengelegte Fertigungsprozess: Im Vergleich zu A14 kann er die Chipfläche um 6% reduzieren, und durch (DTCO)-Technologieoptimierung im Zusammenspiel aus Design und Prozess wird die Energieeffizienz sowie die Rechenleistung weiter gesteigert.
A12 basiert auf der A14-Architektur und führt die Technologie der „Super Power Rail“ genannten Backside Power Transmission Network (BSPDN)-Technologie ein, die speziell für die Anforderungen von KI und Hochleistungsrechnen (HPC) ausgelegt ist. BSPDN trennt die ursprünglich auf der Vorderseite des Wafers konzentrierte Signalverarbeitung und Stromübertragung, indem das Stromnetz auf die Rückseite des Wafers verlagert wird. Dadurch wird mehr Raum freigesetzt, um die Leistungsfähigkeit sowie die Integrationsdichte zu verbessern.
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Samsung wechselt von Angriff zu Verteidigung: 1 nm um zwei Jahre verschoben, alles auf die Stabilisierung von 2 nm
Im Vergleich zu TSMCs offensivem Vorgehen entscheidet sich Samsung Electronics für eine Anpassung des Tempos. Samsung hatte bereits 2022 als erstes mit einer 3-nm-Fertigung in Massenproduktion gestartet, die auf der Gate-All-Around- (GAA)-Architektur basiert und sich damit bei technischen Durchbrüchen einen Vorsprung verschafft. Doch auf dem „SAFE Forum“, das letztes Jahr abgehalten wurde, erklärte Samsung, dass sich der Produktionszeitplan des 1,4-nm-Fertigungsprozesses (SF1.4) um etwa zwei Jahre verschieben werde – von dem ursprünglich geplanten Jahr 2027 auf 2029.
Damit zeigt sich, dass sich der strategische Schwerpunkt von Samsung derzeit von „schnell voraus“ hin zu „stabil vorankommen“ verlagert hat. Brancheninsider berichten, dass Samsung aktuell noch kein klares Fertigungs-Blueprint nach 2 nm vorgelegt hat. Das Unternehmen investiert stattdessen voll in die Optimierung der 2-nm-Kapazitäten und die Verbesserung der Ausbeute, um mehr interne und externe Kunden zu gewinnen und die Auslastung der Kapazitäten zu steigern.
Ende Mai dieses Jahres wird erwartet, dass Samsung auf dem SAFE Forum, das in den USA stattfinden soll, seine neueste Strategie erneut nach außen erläutern wird – erneut mit dem 2-nm-Fertigungsprozess als Kernschwerpunkt.
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KI-Chipnachfrage zieht an, die Differenzen der beiden Spitzenlinien beeinflussen die Branchenlandschaft
Die strategischen Differenzen zwischen TSMC und Samsung bei den Sub-Next-Gen-Fertigungsprozessen fallen in eine Zeit, in der die Nachfrage nach KI-Anwendungen vollständig explodiert. Deren Auswirkungen reichen bereits weit über die reine Technologieebene hinaus. TSMC kann mit dem kontinuierlich führenden Umsetzungstempo bei der Prozessentwicklung seine Vorreiterrolle in der Foundry-Marktposition für High-End-KI- und HPC-Chips weiter festigen; Samsung hingegen hofft, indem es über stabile Massenproduktion im 2-nm-Bereich verfügt, schrittweise das Vertrauen der Kunden aufzubauen und sich für den nächsten technischen Durchbruch vorzubereiten.
Welche der beiden Linien besser oder schlechter ist, lässt sich kurzfristig nur schwer festlegen – schließlich werden sowohl das Tempo der Prozessentwicklung als auch die Stabilität der Massenproduktions-Ausbeute zu den entscheidenden Variablen werden, welche die Wettbewerbskarte im Foundry-Markt bestimmen.
Dieser Artikel „TSMC auf ‚Streben nach 1 nm‘ trifft auf Samsung auf ‚Stabilisierung von 2 nm‘, die beiden Foundry-Giganten gehen mit ihren Differenzen am frühesten ins Rennen“ ist zum ersten Mal auf der Newsseite von 鏈新聞 ABMedia erschienen.
